漏极

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管的结构原理：

在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。如图所示：

（a） （b）

N型导电沟道结型场效应管的电路符号。

将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d），很薄的N区称为导电沟道。 共漏极放大电路——源极输出器

电压放大倍数

输入电阻

输出电阻

共漏极放大电路也具有电压放大倍数小于1，但接近1；输出电压与输入电压同相；输入电阻高，输出电阻低的特点。