联栅晶体管(GAT)

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联栅晶体管（Gate Associated Transistor:GAT）是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。联栅晶体管GAT有独特的基区,它由FET和标准的双极晶体管组成. 和通常的晶体管相比,GAT 最卓著的特点是在正向和反向都有宽广的安全工作区(SOA)。SOA的改善是由于栅极的屏蔽效应,它抑制了基区的电流拥挤和集电区的雪崩效应. 联栅晶体管GAT具有高压和高速的工作特性.高频GAT的最大振荡频率可达400MHz,而集电极-发射极的击穿电压BVCEO则达240V.工作在30MHz的B类放大器输出功率可达52W,功率增益20.2dB以及效率为68%。

其它的报道表明,通过缩小栅区间隔和深度,可以在大电流密度的集电极区得到更高的电流增益和更高的开关速度.也可以采用多个发射极结构和提高基区和集电区的掺杂浓度来提高性能.优化这些参数,功率GAT的BVCEO电压可达630V,集电极电流可达50A,共发射极的电流增益为30,而上升时间则为0.1us。

联栅晶体管主要可用在节能灯的电子镇流器。