摘要:瞬态抑制二极管(TVS)又叫箝位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲[阅读全文:]
摘要:稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图1所示。稳压二极管的特性曲线与普[阅读全文:]
摘要:双向触发二极管亦称二端交流器件(DIAC)，与双向晶闸管同时间世．由于它结构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，还可构成过压保护等电路。双向触发二极管的构造、符号及等效电路如图1所示。 &[阅读全文:]
摘要:基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特[阅读全文:]
摘要:二极管的基本结构 二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图1所示。 &nb[阅读全文:]
摘要:PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示。 图1 PNP的结构及符号 它的工作原理和NPN晶体管相似,只[阅读全文:]
摘要:１９４７年１２月２３日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，３位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。 他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。３位科学[阅读全文:]
摘要:以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4为栅介质的MNS器件，以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属[阅读全文:]
摘要:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、[阅读全文:]
摘要:静电感应晶体管（SIT），是在普通结型场效应晶体管基础上发展起来的单极型电压控制器件，有源、栅、漏三个电极,它的源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制。其结构可分为平面栅型、埋栅型和准平面型三大类。SIT与[阅读全文:]
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