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石墨烯晶体管
词条创建者:朱晶创建时间:12-30 16:42
标签: 石墨烯晶体管

摘要:石墨烯(Graphene)是一种从石墨材料中剥离出的单层碳原子薄膜,是由单层六角元胞碳原子组成的蜂窝状二维晶体。[阅读全文:]

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DrMOS
词条创建者:yumuzi创建时间:12-20 09:32
标签: 微星科技,DrMos

摘要:微星科技(MSI) 的DrMos技术属于Intel在04年推出的服务器主板节能技术,是将传统MOSFET供电中分离的两组MOS管和驱动IC以更加先进的制程整合在一片芯片中,它的加入能够让服务器在工作时更[阅读全文:]

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瞬态抑制二极管
词条创建者:yumuzi创建时间:12-16 10:50
标签: 瞬态抑制二极管,电子,电路保护

摘要:瞬态抑制二极管是用于保护敏感型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。 与大多数其他类型的电路保护设备相比,它们可更快地应对过电压现象,可提供各类表面贴装和通孔电路板安装型号。[阅读全文:]

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多谐振荡器
词条创建者:朱晶创建时间:12-15 16:39
标签: 多谐振荡器

摘要:多谐振荡器:利用深度正反馈,通过阻容耦合使两个电子器件交替导通与截止,从自激多谐振荡器而自激产生方波输出的振荡器。常用作方波发生器。[阅读全文:]

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ONO(OXIDE NITRIDE OXIDE) 氧化层-氮化层-氧化层
词条创建者:朱晶创建时间:12-08 16:58
标签: 氧化层-氮化层-氧化层

摘要:半导体组件,常以ONO三层结构做为介电质(类似电容器),以储存电荷,使得资料得以在此存取。在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构,其中氧化层与基晶的结合较氮化层好,而氮化层居中,则可阻挡缺陷(如pi[阅读全文:]

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结终端扩展(JTE)技术
词条创建者:朱晶创建时间:12-08 16:54
标签: 结终端扩展技术 JTE

摘要:结终端扩展技术最早由A.K.Temple等人提出,其作用是控制高压器件的表面电场,最早的JTE为横向变掺杂技术,即将终端区分为多区,靠近主结的JTE区保持较高的浓度,以减弱主结电场,最外区保持较低的浓度[阅读全文:]

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ANGLELAPPING角度研磨
词条创建者:朱晶创建时间:12-08 16:50
标签: ANGLELAPPING角度研磨

摘要:Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度,所作的芯片前处理,这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光[阅读全文:]

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载流子寿命
词条创建者:朱晶创建时间:12-08 16:49
标签: 载流子寿命

摘要:载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子(因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来,多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了),所以非平衡载流[阅读全文:]

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芯片生产周期
词条创建者:朱晶创建时间:12-08 16:45
标签: 芯片生产周期

摘要:指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需之生产/制造时间。在TI-ACER,生产周期有两种解释:一为“芯片产出周期时间”(WAFER-OUT CYCLE TIME ),一为“制程周期时间”(PROCES[阅读全文:]

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MIM
词条创建者:朱晶创建时间:11-29 10:20
标签: MIM

摘要:MIM技术作为一种制造高质量精密零件的近净成形技术,具有常规粉末冶金、机加工和精密铸造方法无法比拟的优势。[阅读全文:]

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