SBSRAM

SBSRAM ( Synchronous Burst Static Random Access Memory) 是一种同步突发式静态RAM, 在结构上分为flow through和pipeline两种类型, 其优点在于读写速度高, 而且是静态RAM, 不需要刷新。同时采用SBSRAM可以减少器件所占用的板上面积。SBSRAM采用CMOS技术并提供节电模式, 以降低功耗。

SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
　　SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
　　第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
　　SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
　　之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
　　DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。
　　很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。SDR不等于SDRAM。
　　Pin：模组或芯片与外部电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。
　　SIMM：Single In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。
　　DIMM：Double In-line Memory Module，双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。
　　RDIMM：registered DIMM，带寄存器的双线内存模块
　　SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。
　　工作电压：
　　SDR：3.3V DDR：2.5V DDR2：1.8V DDR3：1.5V
　　SDRAM内存条的金手指通常是168线，而DDR SDRAM内存条的金手指通常是184线的。
SBSRAM和SDRAM的区别：
SDRAM：一，同步访问，读写操作需要时钟；二动态存储，芯片需要定时刷新
SBSRAM：支持同步突发访问。读写速度高。属于静态RAM，不需要刷新
SBSRAM ( Synchronous Burst Static Random Access Memory) 是一种同步突发式静态RAM， 在结构上分为flow through和pipeline两种类型， 其优点在于读写速度高， 而且是静态RAM，不需要刷新。同时采用SBSRAM可以减少器件所占用的板上面积。SBSRAM采用CMOS技术并提供节电模式， 以降低功耗。