TSV封装
硅通孔技术（TSV，Through -Silicon-Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间垂直导通，实现芯片之间互连的新技术。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗性能。
TSV与常规封装技术有一个明显的不同点，即TSV的制作可以集成到制造工艺的不同阶段。在晶圆制造CMOS或BEOL步骤之前完成硅通孔通常被称作Via-first，此时，TSV的制作可以在Fab厂前端金属互连之前进行，实现core-to-core的连接。该方案在微处理器等高性能器件领域研究较多，主要作为SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再进行TSV的制作，然后完成器件制造和后端的封装。而将TSV放在封装生产阶段，通常被称作Via-last，该方案的优势是可以不改变现有集成电路流程和设计。
TSV与常规封装技术有一个明显的不同点，即TSV的制作可以集成到制造工艺的不同阶段。在晶圆制造CMOS或BEOL步骤之前完成硅通孔通常被称作Via-first，此时，TSV的制作可以在Fab厂前端金属互连之前进行，实现core-to-core的连接。该方案在微处理器等高性能器件领域研究较多，主要作为SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再进行TSV的制作，然后完成器件制造和后端的封装。而将TSV放在封装生产阶段，通常被称作Via-last，该方案的优势是可以不改变现有集成电路流程和设计。
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