相变存储器

相变存储器(PRAM)也可简写为PCM(phase-change memory)、PCRAM(phase-change random access memory)、OUM(ovonics unified memory)等。相变存储器是利用硫系化合物在晶态和非晶态之间的导电性差异来存储数据的。材料的晶态与非晶态之间一般通过焦耳热进行转变。简化的相变存储器如图所示。相变存储器单元的基本结构是在上下电极之间加一层很薄的相变材料。当有外加电信号时电流注入，电阻与硫系化合物层的连接点在加热后产生焦耳热引起相变。在这个结构中硫系化合物与电极的接触面积很小，而周围被绝热材料所包围。在电极和硫系材料接触的位置处热量集中，可以在较小的电压或电流下使硫系化合物发生相变。相变存储器具有耐受性好、能耗低、结构简单等特点。