“三明治”结构

从根本上讲，阻变存储器是一个两端器件，具有MIM的器件结构，即上下两个电极中夹一层绝缘介质(也叫电阻转变功能层)，这一结构也被形象地称为“三明治”结构，分别由下电极、阻变功能层和上电极组成，如图所示。

简单的三层薄膜的堆叠而形成的电容结构就可以实现普通两端电阻转变存储器的制备，上下两个电极通常是金属或者导电率很高的薄膜材料，阻变功能层为一层绝缘介质，在对器件进行电激励操作时，需要在上下两个电极之间加一定的电压来实现整个器件两端之间电阻状态的改变。