短沟效应
标签: 短沟效应，沟道，模拟电路
顶[0] 分享到 发表评论(0) 编辑词条随着半导体工艺水平的提高，器件的尺寸越来越小，目前的沟道最小长度已经小于90nm，沟道长度为0．25ttm、0．18ttm的工艺已经相当普遍。减小器件尺寸可以提高电路的速度和集成度，但同时也给器件的特性带来了影响，通常称为短沟效应。短沟效应主要包括阈值电压的变化、载流子迁移率的下降及速度饱和、热电子效应等。此外，沟道长度调制效应对于短沟器件来说也变得更加明显。这些效应对于模拟电路来说都是十分敏感的。
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