边界迁移模型
边界迁移模型最早由Strukov等提出，最初用于实现忆阻器具有的电路特性，该模型由位于两端的金属电极和中间的掺杂半导体薄膜组成，如图所示。电极间的半导体薄膜由于基体中载流子浓度不同而分为低电阻的高掺杂浓度区和高电阻的低掺杂浓度区，结构两端加载的偏压驱使高、低掺杂浓度区间的边界发生迁移，致使结构对外呈现随外加电压时间作用而变化的电阻。2008年5月，惠普科学家研制出世界上首个忆阻器，器件结构为Pt／TiO2／Pt，在分析其忆阻机理时认为TiO2上出现了缺氧的TiOx，氧空位缺陷在电场作用下迁移使得材料具有金属性和导电性。与边界迁移类似的离子和电子非线性迁移机制也被用于解释具有相应结构的忆阻机理。这部分理论认为，外偏压的施加影响了载流子迁移过程的跃迁势垒，从而改变了其迁移概率，导致材料电阻状态发生变化而产生忆阻特性。
附件列表
词条内容仅供参考，如果您需要解决具体问题
（尤其在法律、医学等领域），建议您咨询相关领域专业人士。
1
收藏到:
中电网官方微博