富士通FRAM---最佳数据存储解决方案Fujitsu

简介：FRAM利用铁电晶体的偏振极化特性实现数据存储,其特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，而且不存在如E2PROM的最大写入次数的问题，目前富士通半导体的FRAM的读写次数可达1万亿次(接近无限次)。FRAM可广泛应用于工业，仪表，医疗，汽车等行业。富士通半导体控制着FRAM的整个生产程序,包括芯片的研发及量产,从而保证了产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始，FRAM产品已经连续供应12年以上，市场累计交货已超过20亿片。本次座谈同时会介绍目前FRAM的市场应用情况及富士通FRAM未来的产品

问：具体应用中是否有哪些须特别注重的关键问题或要点？
答： 注意上下电的时序，其他请参看datasheet http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/

问：来晚了
答： 您可以观看回放的Video,谢谢

问：能全面地抗辐射吗？
答： 我们的抗辐射能力比其他存储器强。

问：是否还存在某些“瓶颈”或“短板”呢？
答： 相比其他传统的存储器,FRAM目前市场知名度还有待提高.

问：掉电后数据是丢失还是？
答： 可以保存,FRAM是非易失性存储器。

问：读写1万亿次是设计水平还是实际试验结果？采用的是何种试验方式？
答： 您好。這是實際試驗結果。
每顆芯片都經過富士通最嚴謹的品質測試後才能出貨。

问：有温度要求吗？
答： -45度~85度

问：我联系了一下力源,人家直接回复没有代理此产品,我问的是518K*8的产品?我应该问深圳哪家代理商有此产品?
答： 您可以直接联系我们上海office:
021-61463688转销售部

问：可靠性有无保障？具体水平？
答： 可靠性很高.
读写速度快,功耗低,可读写次数多.抗辐射性强。

问：寿命有多长？读写1万亿次是极限吧？
答： 1万亿次是我们保证的最小次数，实际数据可能大于这个数据。