铟封接用于0LED存在哪些问题？ -中电网

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问：铟封接用于0LED存在哪些问题？

答：(1)纯铟的熔点为l56℃，而有机电致发光材料的承受温度接近铟的熔点值，如何使得铟达到热熔化所需的温度，而不影响OLED功能材料。 (2)铟是一种金属，具有很好的导电性能，所以常用于制备氧化铟锡(ITO)作为导电层，但铟作为封接材料，导电性能就成为其最大的障碍，如何避免封接层铟与0LED器件各导电层的导通，是铟封接用于0LED器件的关键问题。 (3)根据现有的OLED制备设备，制备出来的0LED器件结构不能用铟封接，如何设计OLED器件结构满足铟封接条件，是要解决的首要问题。