铟封接用于0LED的主要问题如何解决？ -中电网

问：铟封接用于0LED的主要问题如何解决？

答：(1)采用热熔铟封接和冷压结合的方法封接OLED，并制备加热用的装置。 (2)采用铟的合金来避免有机电致发光材料的承受温度，In—Sn合金的熔点为116℃，In—Bi合金的熔点为72℃。(3)激光器具有高热量，加热物体后，物体可得到200％以上的高温，激光器有光斑半径小、稳定等特点，再采用光纤作为传输介质，易于操作，可实现热铟熔接。(4)设计另一种OLED器件结构适用于铟封接。 (5)在铟封接层中加入过渡层，包括过渡绝缘层、过渡金属层，并设计合适的镀膜尺寸，过渡绝缘层起绝缘铟与0LED器件各电极层的作用，过渡金属层要求能和铟有很好的润湿性。 (6)对于过渡绝缘层，过渡金属层的制备可采用真空镀膜的方法，其中过渡绝缘层选用Si0：，采用电子束真空镀膜制备；过渡金属层选用A9或者其他金属，采用磁控溅射镀膜方法制备。 (7)先在大气环境下，进行两玻璃板之间的铟封接实验，然后再在手套箱中充满N：气的条件下，封接0LED器件。