与国际先进水平相比，我国在RFID芯片设计方面存在哪些主要差距？ -中电网

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问：与国际先进水平相比，我国在RFID芯片设计方面存在哪些主要差距？

答：(1)国外在RFID芯片设计方面起步较早，并申请了许多技术专利；而国内起步较晚，在超高频和微波频段的RFID芯片设计方面的基础还比较薄弱。 (2)在存储器方面，发达国家已经开始使用标准CMOS工艺设计非挥发存储器，使得电子标签的所有模块有可能在标准的CMOS工艺下制作完成，以降低生产成本；而国内在这方面还处于研究阶段。 (3)电子标签对成本比较敏感，芯片设计需要在模拟电路和数模混合电路设计方面具有丰富经验的专业人才，而国内这方面技术力量相对薄弱。