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问:构成RRAM器件的电极材料主要分为哪两类?

答:一类是采用Cu、Ag、Ni等活性(易扩散的)金属作为上电极(阳极)材料,另一类是采用非活性(不易扩散的)金属或惰性金属,如Al、Cr、Ti、W、Au、Pt等上电极材料;下电极(阴极)一般采用非活性金属或惰性金属。当采用Cu(Ag、Ni)作为上电极材料时,Cu(Ag、Ni)会在电场作用下发生电化学反应并扩散到阻变功能层中,形成由Cu(Ag、Ni)粒子构成的金属细丝通道,因此这类器件通常被称为导电桥存储器或可编程金属化单元,也被称为固态电解液器件。采用非活性金属或惰性金属作为上电极材料时,通常会在体内形成由氧空位细丝构成的导电通道。当采用不同金属作为上电极材料时,由于金属性质各不相同,因此由此制备的RRAM器件性能也相差很大。