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摘要:实际的应用中,RRAM的激励源是脉冲信号。因此,脉冲测试的优化对RRAM器件来说更为重要。一个典型的RRAM器件的脉冲循环测试如图所示,执行完一次SET脉冲操作,进行一次读脉冲验证;再执行一次RESET[阅读全文]
摘要:阻变存储器(RRAM)的基本结构为上下电极以及电阻转变层组成的“三明治”结构,如图所示。电阻转变层材料在电激励的作用下会出现不同电阻状态,以此来实现数据存储。这和相变存储器类似,但不同的是相变存储器中采[阅读全文]
摘要:针对基于传统FPGA中SRAM架构的挥发性缺点,如果将SRAM变为非挥发性的SRAM,即可以拥有SRAM连续高速数据写入的优点,又可以确保断电后不丢失数据,保证数据的安全。[阅读全文]
摘要:RRAM的器件性能与电学操作方法有关,即与器件的forming、SET、RESET过程中具体外加电压/电流信号的方式有关。在RRAM器件的研究工作中,通常使用直流电压扫描方式(VSM)来对器件单元进行基[阅读全文]
摘要:SPC3内部1.5KB的RAM是单口RAM。然而,由于内部集成了双口RAM控制器,允许总线接口和处理器接口同时访问RAM。此时,总线接口具有优先权,从而使访问时间最短。如果SPC3与异步接口处理器相连,[阅读全文]
摘要:对单管RRAM存储器件,RRAM阻变存储器从高阻态向低阻态转换时,通常要在器件两端施加限制电流。主要是因为在RRAM存储器件从高阻态转变到低阻态后,流经器件的电流会突然增大,如果不在器件两端设置一定的限[阅读全文]
摘要:电化学金属化(electrochemical metallization)机制,简写成ECM模型。这种模型主要是针对固态电解液基RRAM提出的,这类RRAM器件需要特殊的上、下电极材料,通常一端为电化学[阅读全文]
摘要:对于基于Windows CE的HMI设备,可以使用Delta传送来节省传送时间。在Delta传送时,只传送相对于HMI设备上的数据发生了变化的项目数据。[阅读全文]
摘要:DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍),也[阅读全文]
摘要:JAM连接器,即CONNECTOR。国内亦称作接插件、插头和插座。一般是指电连接器。即连接两个有源器件的器件,传输电流或信号。它广泛应用于航空、航天、国防等军用系统中。[阅读全文]
摘要:ThinkGear AM芯片,由美国Neurosky(中文名:神念科技)公司研发的世界第一款的脑电图传感器,因为采用了干电极传感器(而非医院所用的涂导电胶的湿传感器)和先进的消噪功能,使得在消费电子中大[阅读全文]
摘要:RAMBUS内存是一种高性能、芯片对芯片接口技术的存储产品,它使得的处理器可以发挥出最佳的功能,已于2003年左右彻底退出市场。目前,RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度,目前[阅读全文]
摘要:两个码组对应位上数字的不同位的个数称为码组的距离,简称码距,又称海明(Hamming)距离。[阅读全文]
摘要:高级微控制器总线结构Advanced Microcontroller Bus Architecture(AMBA)定义了高性能嵌入式微控制器的通信标准。 ARM研发的AMBA提供一种特殊的机制,可将RI[阅读全文]
摘要:ARM研发的AMBA(Advanced Microcontroller Bus Architecture,高级微控制器总线架构)提供一种特殊的机制,可将RISC处理器集成在其它IP芯核和外设中,2.0版[阅读全文]
摘要:Microsoft® .NET Micro Framework 将 .NET 的可靠性和效率与 Visual Studio® 的高生产率结合起来,以针对价格较低、资源受限的小型设备开发应[阅读全文]
摘要:SBSRAM ( Synchronous Burst Static Random Access Memory) 是一种同步突发式静态RAM, 在结构上分为flow through和pipeline两种类[阅读全文]
摘要:SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是[阅读全文]
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