摘要:桥堆的检测 1. 全桥的检测 大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。 检[阅读全文:]
摘要:场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺[阅读全文:]
摘要:无任何偏置电流、电压就具有单向导电作用的二极管称。由于导体、半导体中导电电子的热运动，当将该管两端用导线相连时，则有一持续的直流电流流过该导线且能带动负载。现能达到的指标是：100mV，0.1μA。电压[阅读全文:]
摘要:光检测器的工作原理 （1）PN结的光电效应光电二极管（PD）是一个工作在反向偏压下的PN结二极管，如下图。由光电二极管作成的光检测器的核心是PN结的光电效应。 当PN结加反向偏压时，外加电场方向与PN结[阅读全文:]
摘要:绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层.根据国际电工委员会IEC/TC(CO)1339文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 下图为一个[阅读全文:]
摘要:为了适合大功率运行，于70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管，即VMOS管。 VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新发展起来的高效,功率开关器件.它不[阅读全文:]
摘要:MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的[阅读全文:]
摘要:MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的[阅读全文:]
摘要:单片微波集成电路（MMIC）， 有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子掺入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。在这类器件中，作为反馈和直[阅读全文:]
摘要:微波电控器件利用参数可电调的材料和器件组成的控制微波信号幅度或相位的器件。可电调的材料和器件主要有半导体二极管(如PIN管﹑变容管和肖特基管等)和铁氧体材料。控制信号幅度的器件有衰减器﹑调幅器﹑开关器和[阅读全文:]
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