内存条

内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。 当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。

内存是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。以前的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。现在电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

内存的作用 
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、还有Windows2008，打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
内存的分类 
内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。
什么是EDO和SDRAM
前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种，其实，它们在结构和性能上还有着本质的区别。
譬如，72线内存条是一种EDO内存，而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存；EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右，能够适应75兆赫兹的外频，但跑83兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右，能够适应100兆赫兹以上的外频。所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代，至今，几乎已无人再用EDO来装机了，只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。
其实，EDO内存被SDRAM所取代有其必然性，因为，市场上主流CPU的主频已高达450兆赫兹，未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，从而大大降低了电脑的整体性能。为了缓解这个内存瓶颈的问题，我们就必须采用新的内存结构，即SDRAM。因为，从理论上说，SDRAM与CPU频率同步，共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据，通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒，所以，SDRAM已成为内存发展的主流。
当然，EDO内存也并没有完全举手投降，相反，凭借其出色的视频特性和低廉的价格，在显示内存等领域仍是连连得手，众多低档显卡更是无一例外地采用EDO内存。另外，许多硬盘、光驱和打印机也是采用EDO缓存，可见，EDO内存还真是宝刀不老啊！
RAM有些像教室里的黑板，上课时老师不断地往黑板上面写东西，下课以后全部擦除。RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应，那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步，人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的待机功能，特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能。
按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（DIMM）。SIMM内存条分为30线，72线两种。DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。
按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。
FPM（FAST PAGE MODE）RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每隔三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM
扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，使存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。
S（SYSNECRONOUS）DRAM
同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。
DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM
SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
RDRAM（RAMBUS DRAM）存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大，电脑能记忆的信息越多。存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算。一纳秒等于10亿分之一秒。数字越小，表明内存的存取速度越快。

内存的性能指标
评价内存条的性能指标一共有四个：
(1) 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到2GB。
(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。