结破坏型PROM
结破坏型PROM与熔丝型PROM的主要区别是存储单元的结构。结破坏型PROM的存储单元是一对背靠背连接的二极管。对原始的存储单元来说，两个二极管在正常工作状态都不导通，没有电流流过，相当于存储信息为“0”。当写入(或改写)时，对要写入“1”的存储单元，使用恒流源产生的l00mA～150mA的电流通过二极管，把反接的一只击穿短路，只剩下正向连接的一只，这就表示写入了“1”；对于要写入“0”的单元只要不加电流即可。
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