阻变存储器集成
作为新型非挥发性存储器中的一员，RRAM要能够与现在主流的浮栅flash竞争，除了要将存储性能做到和flash相当之外。RRAM必须利用高集成密度的优势来降低成本，从而获取市场份额。
一般认为，RRAM的集成可以分为有源阵列(active)和无源阵列(passive)两种。在有源阵列中，使用场效应晶体管(MOSFET)作为选通管，与每个阻变存储单元串联构成1T1R结构来控制对存储单元的读写，并在集成阵列中利用字线和位线来达到选通存储单元的目的。使用这种有源结构时，通常是先将选择晶体管单元制备好后，再在其源端或者是漏端继续制备RRAM存储单元。从理论上分析，在这种有源阵列中，每个存储单元所占据的面积大小主要由选择晶体管的大小决定，每个存储单元的面积为6F2(F为特征尺寸)。在无源阵列中，每个存储单元由相互交叉的字线和位线构成的上下电极所确定，在平面结构中可以实现最小的存储单元面积为4F。无源阵列由于不依赖于CMOS工艺的前段制程，可以进行多层堆叠，实现三维存储结构，每个存储单元的有效单元面积仅为4F2／N(N为堆叠的层数)。因此，从存储阵列集成密度的角度考虑．无源交叉阵列是RRAM集成的首选方式，这也是最能体现RRAM相比于flash存储器的优势之一。附件列表
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