RRAM器件
标签: PRAM器件，限流器
顶[0] 分享到 发表评论(0) 编辑词条RRAM的器件性能与电学操作方法有关，即与器件的forming、SET、RESET过程中具体外加电压／电流信号的方式有关。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流电压扫描方式(VSM)来对器件单元进行基本的操作，获取器件的电阻转变参数。这种方法的优点是操作简单，而且比较直观。然而在采用直流电压扫描的方法中，经常由于器件结构自身存在的或者外部测量设备引入的寄生电容造成较大的电流过冲，从而对器件的性能产生不利的影响。另外，在器件转变过程中，RRAM器件单元与限流器(晶体管、电阻、测试设备等)之间的压降分配的先后次序也会对RRAM器件的性能产生影响。
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