连续介质模型
连续介质模型主要根据体系中的宏观现象(如载流子扩散、漂移等)表征器件状态，而不必涉及体系中具体每一个粒子的微观运动行为。这类模型采用的方法与经典半导体物理体系下pn结、晶体管等求解电流电压特性的方法类似，一般是通过联立载流子连续性方程、泊松方程等对阻变存储器件阻变过程进行描述，以获得器件的电学特性的变化。连续介质物理模型理论框架简单明了，通过模拟对比，能直观反映出载流子迁移率、温度等宏观参数对器件性能的影响。国内外已有很多基于连续介质模型框架对阻变器件进行研究的报道。其中在金属细丝阻变(又称为电化学金属化，ECM)器件和氧空位型导电细丝阻变(又称为化学价变化机制，VCM)器件中分别以余志平小组、Ielmini小组等的工作为代表。
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