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多层氧化物MOS集成电路: 词条创建者:baikeeditor创建时间:11-29 13:22; 标签: 多层氧化物MOS集成电路; 摘要:所有 MOS 集成电路（包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS，互补 MOS — CMOS 集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 8[阅读全文]; 编辑:0次| 浏览:656次