摘要:集成电路中的电源引脚端是最重要的直流电压测试端，其他各引脚的直流电压正常与否也能反映该引脚外电路及内电路的工作状态。[阅读全文]

摘要:数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成（ＳＳＩ）电路、中规模集成ＭＳＩ电路、大规模集成[阅读全文]

摘要:模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如运算放大器、模拟乘法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器[阅读全文]

摘要:集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片[阅读全文]

摘要:功放集成电路如果是用在音箱上的话，就是把音源如CD机，VCD机，DVD机等输出的音频信号放大后去推动扬声器或音箱，发出响量的声音。[阅读全文]

摘要:单片微波集成电路（MMIC）， 有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子掺入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。在这类器件中，作为反馈和直[阅读全文]

摘要:所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 8[阅读全文]

摘要:1994年由于集成1亿个元件的1G DRAM的研制成功，进入巨大规模集成电路GSI（Giga Scale Integration）时代。巨大规模集成电路的集成组件数在109以上。[阅读全文]

摘要:1993年随着集成了1000万个晶体管的16M FLASH和256M DRAM的研制成功，进入了特大规模集成电路ULSI (Ultra Large-Scale Integration)时代。特大规模集成[阅读全文]

摘要:在一块芯片上集成的元件数超过10万个，或门电路数超过万门的集成电路，称为超大规模集成电路。超大规模集成电路是20世纪70年代后期研制成功的，主要用于制造存储器和微处理机。64k位随机存取存储器是第一代超[阅读全文]

摘要:大规模集成电路（LSI）于1970年出现，在一块硅片上包含103-105个元件或100-10000个逻辑门。如 ：半导体存储器，某些计算机外设。628512，628128（128K）最大容量1G。 1.[阅读全文]

摘要:中规模集成电路（Mdeium Scale Integration：MSI）1966年出现，在一块硅片上包含100-1000个元件或10-100个逻辑门。如 ：集成计时器，寄存器，译码器等。 如果选用中规[阅读全文]

摘要:根据集成电路规模的大小，数字集成电路通常分为小规模集成电路（SSI） 、中规模集成电路（MSI） 、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）。 小规模集成电路（Small Scale In[阅读全文]

摘要:由半导体集成工艺与薄（厚）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。它与[阅读全文]

摘要:用丝网印刷和烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络，并在其上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件，再外加封装而成的混合集成电路。厚膜混合集成电路是一种微型电子功能部件。 1.特点和应用 与薄[阅读全文]

摘要:thin film hybrid integrated circuit 在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立的微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。所装的分立微型元[阅读全文]

摘要:专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路。数字集成电路的通用性和大批量生产，使电子产品成本大幅度下降，推进了计算机通信和电子产品的普及，但同时也产生了通用与专用的矛盾，以及系统设计与电路制作[阅读全文]