摘要:分立电荷存储器包括纳米晶浮栅存储器和电荷俘获存储器(charge trapping memory，CTM)。[阅读全文]

摘要:视差障栅式(Barrier)3D显示技术的原理和偏光式3D显示技术较为类似，和现有的LCD液晶显示工艺兼容，但是由于视差障栅的存在，阻挡了一半的光线，造成显示视频的分辨率和亮度都有所下降。[阅读全文]

摘要:在前面的分析中，认为只有当栅源电压|VGS|大于阈值电压|VTH|时，才出现漏极电流k，但实际上，在沟道表面处于弱反型时，也就是|VGS|[阅读全文]

摘要:衬底调制效应义称体效应或背栅效应。在前节的分析中，是将源极与衬底短接在一起，使VBS=0。当源极与衬底的电位不相等时，会对MOS管的性能产生影响。[阅读全文]

摘要:3-D三栅极晶体管实现晶体管的革命性突破。传统“扁平的”2-D平面栅极被超级纤薄的、从硅基体垂直竖起的3-D硅鳍状物所代替。电流控制是通过在鳍状物三面的每一面安装一个栅极而实现的(两侧和顶部各有一个栅极[阅读全文]

摘要:绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有M[阅读全文]

摘要:栅极，多极电子管中最靠近阴极的一个电极。 具有细丝网，或螺旋线的形状，有控制板极电流的强度，或改变电子管性能的作用； 电容，是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏[阅读全文]

摘要:绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层.根据国际电工委员会IEC/TC(CO)1339文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 下图为一个[阅读全文]

摘要:Fiber Bragg Grating（FBG）是衍射光栅概念的发展，其衍射是由光纤内部折射率的变化实现的。 FBG好像一个窄带的反光镜，只反射一个波长而透射其余的波长。被反射的波长称为Bragg波长，[阅读全文]

摘要:数组波导光栅属于平面光路技术(Planar Light Circuit; PLC)的一种，因此在介绍数组波导光栅之前，需先谈谈平面波导技术。 基于现有的光被动组件都有劳力密集、低产能与低组装良率等缺点，[阅读全文]