"电子设计制造" 分类下的词条该分类下有72个词条创建该分类下的词条

英雄VR

词条创建者:virglass创建时间:10-19 13:26

标签: 英雄vr，omni跑步机，全民枪战，英雄互娱，英雄体育

摘要:英雄VR是英雄体育旗下专注VR内容制作，硬件开发以及VR观赛体验和线下体验店服务的VR电竞平台。2016年7月英雄体育宣布英雄VR正式成立。[阅读全文:]

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方向系数

词条创建者:baikemm创建时间:10-17 15:19

标签: 方向系数，天线

摘要:在离天线某一距离处，天线在最大辐射方向上的辐射功率流密度，与相同辐射功率的理想无方向性天线在同一距离处的辐射功率流密度之比。[阅读全文:]

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PROFIBUS现场总线

词条创建者:baikemm创建时间:08-08 13:18

标签: 传感器，数据传输，控制器

摘要:强有力的FMS服务向人们提供了广泛的应用范围和更大的灵活性，可用于大范围和复杂的通信系统。[阅读全文:]

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“三明治”结构

词条创建者:baikemm创建时间:08-05 10:00

标签: 阻变存储器

摘要:从根本上讲，阻变存储器是一个两端器件，具有MIM的器件结构，即上下两个电极中夹一层绝缘介质(也叫电阻转变功能层)，这一结构也被形象地称为“三明治”结构，分别由下电极、阻变功能层和上电极组成。[阅读全文:]

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相变存储器

词条创建者:baikemm创建时间:08-05 09:58

标签: 相变存储器，相变材料

摘要:相变存储器是利用硫系化合物在晶态和非晶态之间的导电性差异来存储数据的。材料的晶态与非晶态之间一般通过焦耳热进行转变。[阅读全文:]

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忆阻器仿生研究

词条创建者:baikemm创建时间:08-04 10:21

标签: 忆阻器，电阻

摘要:忆阻器独特的电学特性，即电阻可在外界的电学激励下发生连续变化并能保持阻值，这与神经突触的非线性传输特性相类似。因此忆阻器可以模拟神经突触的部分简单功能。图中所示是最基本的忆阻器仿生器件，上电级相当于神经[阅读全文:]

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有源阵列结构

词条创建者:baikemm创建时间:08-04 10:18

标签: 有源阵列结构，RRAM存储器件

摘要:对单管RRAM存储器件，RRAM阻变存储器从高阻态向低阻态转换时，通常要在器件两端施加限制电流。主要是因为在RRAM存储器件从高阻态转变到低阻态后，流经器件的电流会突然增大，如果不在器件两端设置一定的限[阅读全文:]

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SV模型

词条创建者:baikemm创建时间:08-04 10:15

标签: SV模型，电阻

摘要:SV模型是Simmons和Verderber为了解释Au／SiO2／Al结构的电阻转变行为时提出的一种模型。在Au／SiO2／Al结构中。[阅读全文:]

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仿真工具

词条创建者:baikemm创建时间:05-24 16:22

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摘要:在EDA技术中仿真工具的地位非常重要，行为模型的表达、电子系统的建模、逻辑电路的验证及门级系统的测试，每一步都离不开仿真工具的模拟检测。[阅读全文:]

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设计处理

词条创建者:baikemm创建时间:05-24 16:20

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摘要:设计处理是EDA设计流程中的中心环节，在该阶段，编译软件将对设计输入文件进行逻辑优化、综合，并利用一片或多片CPLD／FPGA器件自动进行适配，最后产生编程用的数据文件。该环节主要包含设计编译、逻辑综合[阅读全文:]

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